Chia hard drive မိုင်းတွင်းအဖျား လျော့ကျသွားပြီးနောက်၊ပေးရပါတယ်။မေလတွင် အလွန်မြင့်တက်ခဲ့သော hard drive စျေးနှုန်းများသည် ပုံမှန်အဆင့်သို့ ပြန်လည်ကျဆင်းသွားခဲ့သည်။1TBယေဘူယျအားဖြင့် ဒေါ်လာတစ်ထောင်အတွင်း ဈေးနှုန်းများ။သို့သော် သတင်းကောင်းသည် မကြာ၊ပေးရပါတယ်။ဟာ့ဒ်ဒစ်သည် မကြာမီတွင် နောက်ထပ်စိန်ခေါ်မှုတစ်ခုကို ရင်ဆိုင်ရပေတော့မည်၊ ယခုတစ်ကြိမ်တွင် flash memory master ချစ်ပ်များ ပြတ်လပ်မှု၊ 28nm ထုတ်ကုန်များသည် ပိုမိုစိတ်လှုပ်ရှားလာကာ ဈေးနှုန်းတက်သွားနိုင်သည်။ပေးရပါတယ်။.
ထောက်ပံ့ရေးကွင်းဆက်မှသတင်းများက NAND flash memory master chip ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ပြတ်လပ်မှုသည် 2022 ခုနှစ်ကုန်အထိဆက်လက်ရှိနေမည်ဖြစ်ပြီး၊ ကွာဟမှုသည် 20-30% အထိမြင့်မားလိမ့်မည်ဟုမျှော်လင့်ထားကြောင်း၊ အထူးသဖြင့် 28nm ရင့်ကျက်သောလုပ်ငန်းစဉ်မာစတာချစ်ပ်များ၏ထောက်ပံ့မှုသည်၊ အကြပ်ဆုံး။
ပေးရပါတယ်။flash main control chip သည် high-end process မလိုအပ်ပါ၊ 40nm process main control chip အများအပြားကို အသုံးပြုနေဆဲ၊ ပိုမိုအဆင့်မြင့်သော၊PCIe 4.0ပင်မထိန်းချုပ်မှုကို 16nm တွင်အသုံးပြုသည်၊ အနာဂတ် PCIe 5.0 ပင်မထိန်းချုပ်မှုသည် 7nm လုပ်ငန်းစဉ်ကိုပင်အသုံးပြုလိမ့်မည်၊PCIe 3.0, SATA အင်တာဖေ့စ်ပင်မထိန်းချုပ်ချစ်ပ်သည် 28nm ဖြင့်လွှမ်းမိုးထားဆဲဖြစ်ပြီး၊ ကုန်ကျစရိတ်၊ စွမ်းဆောင်ရည်၊ ပါဝါသုံးစွဲမှုသည်လက်ရှိတွင်အမျှတဆုံးဖြစ်သည်။
ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ 28nm ဓာတ်ပေါင်းဖိုစွမ်းရည်ကို TSMC၊ UMC နှင့် SMIC အပါအဝင် အဓိကထုတ်လုပ်သူ သုံးဦးတွင် အဓိကအားဖြင့် စုစည်းထားပြီး TSMC ၏ 28nm စွမ်းရည်၏ ရင့်ကျက်မှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို တက်ကြွစွာချဲ့ထွင်ရန် စီစဉ်နေပြီး လာမည့် 2-3 နှစ်တွင် မျှော်လင့်ထားပြီး 28nm စုစုပေါင်းပမာဏသည် 100,000 မှ 150,000 အထိ တိုးချဲ့နိုင်မည်ဟု မျှော်လင့်ပါသည်။ တစ်လလျှင်အပိုင်းပိုင်း။
UMC သည် ၎င်း၏ 28nm လုပ်ငန်းစဉ် ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်မှုကို တိုးမြှင့်ရန်အတွက် အသုံးပြုမည့် $3.6 ဘီလီယံ ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှု အစီအစဉ်ကို ယခုနှစ် မေလတွင် ကြေညာခဲ့သည်။
SMIC သည် စုစုပေါင်း ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှု ယွမ် ၆၅.၃ ဘီလီယံ သို့မဟုတ် ဒေါ်လာ ၁၀ ဘီလီယံခန့်ဖြင့် ဘေဂျင်းနှင့် ရှန်ကျန်းတွင် ရင့်ကျက်သော လုပ်ငန်းစဉ်များစွာကို တည်ထောင်ခဲ့ပြီး ၎င်း၏ 28nm လုပ်ငန်းစဉ်ကိုလည်း တက်ကြွစွာ တိုးချဲ့လျက်ရှိသည်။
SK Hynix သည် NAND flash memory ၏ အမြတ်အစွန်းကို မြှင့်တင်ရန်လည်း အာရုံစိုက်နေပြီး 128 အလွှာအခြေပြု မိုဘိုင်းဖြေရှင်းချက် ထုတ်ကုန်များနှင့် လုပ်ငန်းအဆင့်မီ ရောင်းချမှုများကို တိုးချဲ့ရန် စီစဉ်နေသည်။ပေးရပါတယ်။s သည် တတိယသုံးလပတ်တွင် 176-layer NAND flash memory ကို ယခုနှစ် ဒုတိယနှစ်ဝက်တွင် အမြောက်အမြားထုတ်လုပ်နိုင်မည်ဖြစ်သည်။
စက်မှုလုပ်ငန်းခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုတွင်ယခင်က၊ ဒုတိယသုံးလပတ်သည် NAND ဆက်စပ်စက်မှုလုပ်ငန်းများ၏ရိုးရာမဟုတ်သောရာသီဖြစ်သော်လည်းယခုနှစ်တွင်အခြေအနေသည်အလွန်ကွဲပြားခြားနားသည်၊ စက်ရုံ၏စွမ်းရည်သည်အလွန်တင်းကျပ်ရုံသာမက၊ ရေအောက်ပိုင်းမှပစ္စည်းပြတ်လပ်မှုနှင့်အရူးအမူးသိုလှောင်မှုအားလုံးကိုစိုးရိမ်သည်။ နည်းလမ်းအားဖြင့်၊ ထို့နောက် Samsung Texas Austin စက်ရုံပိတ်သိမ်းမှုဖြစ်ရပ်ကြောင့် NAND ထိန်းချုပ်မှု ICs များပိုမိုတင်းကျပ်စွာထောက်ပံ့မှုကိုဖြစ်ပေါ်စေပြီး စက်မှုကွင်းဆက်ပြိုကွဲမှုသံသယကို နက်ရှိုင်းစေကာ ဒုတိယသုံးလပတ်တွင် downstream order အရေအတွက်ဆက်လက်တိုးလာကာ ယခုနှစ် Q3၊ NAND Flash တင်ပို့မှု အရှိန်အဟုန်သည် ဆက်လက်မြင့်တက်နေမည်ဖြစ်ပြီး ဈေးနှုန်းများ ဆက်လက်မြင့်တက်နေမည်ဖြစ်သည်။
စာတိုက်အချိန်- မတ်-၂၀-၂၀၂၃
