Nand Flash ၏လုပ်ဆောင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်
NAND Flash ကို မူလဆီလီကွန်ပစ္စည်းမှ လုပ်ဆောင်ပြီး ဆီလီကွန်ပစ္စည်းကို ယေဘုယျအားဖြင့် 6 လက်မ၊ 8 လက်မနှင့် 12 လက်မ ခွဲခြားထားသည့် wafers များအဖြစ် လုပ်ဆောင်သည်။ဤ wafer တစ်ခုလုံးကို အခြေခံ၍ တစ်ခုတည်းသော wafer ကိုထုတ်လုပ်သည်။ဟုတ်ကဲ့၊ wafer တစ်ခုမှ မည်မျှဖြတ်နိုင်သည်ကို အသေ၏အရွယ်အစား၊ wafer အရွယ်အစားနှင့် အထွက်နှုန်းတို့အရ ဆုံးဖြတ်သည်။အများအားဖြင့်၊ ရာနှင့်ချီသော NAND FLASH ချစ်ပ်များကို wafer တစ်ခုတည်းတွင် ပြုလုပ်နိုင်သည်။
ထုပ်ပိုးခြင်းမပြုမီ wafer တစ်ခုတည်းသည် Die ဖြစ်လာပြီး၊ ၎င်းသည် Wafer မှ သေးငယ်သော အပိုင်းအစကို လေဆာဖြင့် ဖြတ်တောက်သည်။Die တစ်ခုစီသည် မရေမတွက်နိုင်သော ထရန်စစ္စတာဆားကစ်များဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည့် သီးခြားလွတ်လပ်သော လုပ်ဆောင်နိုင်သော ချစ်ပ်တစ်ခုဖြစ်သော်လည်း နောက်ဆုံးတွင် ယူနစ်တစ်ခုအဖြစ် ထုပ်ပိုးထားနိုင်ပြီး ၎င်းသည် flash particle chip ဖြစ်လာသည်။SSD၊ USB flash drive၊ memory card စသည်တို့ကဲ့သို့ လူသုံးအီလက်ထရွန်းနစ်နယ်ပယ်များတွင် အဓိကအသုံးပြုသည်။
NAND Flash wafer ပါ၀င်သော wafer တစ်ခု၊ wafer ကို ဦးစွာစမ်းသပ်ပြီး စမ်းသပ်ပြီးနောက်၊ ၎င်းကို ဖြတ်တောက်ပြီးပါက ပြန်လည်စမ်းသပ်ပြီး နဂိုအတိုင်း၊ တည်ငြိမ်ပြီး စွမ်းရည်ပြည့်သေဆုံးမှုကို ဖယ်ရှားကာ ထုပ်ပိုးထားသည်။နေ့စဉ်မြင်တွေ့နေရသည့် Nand Flash အမှုန်အမွှားများကို ဖုံးအုပ်ရန်အတွက် ထပ်မံစမ်းသပ်မှုတစ်ခု ပြုလုပ်သွားမည်ဖြစ်သည်။
wafer ပေါ်ရှိ ကျန်အကြွင်းအကျန်များသည် မတည်မငြိမ်ဖြစ်ခြင်း၊ တစ်စိတ်တစ်ပိုင်း ပျက်စီးနေသောကြောင့် စွမ်းရည်မလုံလောက်ခြင်း သို့မဟုတ် လုံးဝပျက်စီးနေပါသည်။အရည်အသွေး အာမခံချက်အား ထည့်သွင်းစဉ်းစား၍ မူလစက်ရုံမှ စွန့်ပစ်ပစ္စည်းများအားလုံးကို စွန့်ပစ်ခြင်းအဖြစ် တင်းကြပ်စွာ သတ်မှတ်သတ်မှတ်ထားသည့် ဤသေဆုံးသေဆုံးမှုအား ကြေညာမည်ဖြစ်ပါသည်။
အရည်အချင်းပြည့်မီသော Flash Die မူရင်းထုပ်ပိုးမှုစက်ရုံသည် လိုအပ်ချက်အရ eMMC၊ TSOP၊ BGA၊ LGA နှင့် အခြားထုတ်ကုန်များအဖြစ် ထုပ်ပိုးပေးမည်ဖြစ်သော်လည်း ထုပ်ပိုးမှုတွင် ချို့ယွင်းချက်များရှိနေသည် သို့မဟုတ် စွမ်းဆောင်ရည်မမီပါက အဆိုပါ Flash အမှုန်များကို ထပ်မံစစ်ထုတ်မည်ဖြစ်သည်။ နှင့် ထုတ်ကုန်များကို တင်းကျပ်သော စမ်းသပ်မှုဖြင့် အာမခံပါသည်။အရည်အသွေး။
Flash memory particle ထုတ်လုပ်သူများကို အဓိကအားဖြင့် Samsung၊ SK Hynix၊ Micron၊ Kioxia (ယခင် Toshiba)၊ Intel နှင့် Sandisk ကဲ့သို့သော အဓိကထုတ်လုပ်သူအများအပြားမှ ကိုယ်စားပြုပါသည်။
နိုင်ငံခြား NAND Flash စျေးကွက်ကို လွှမ်းမိုးထားသည့် လက်ရှိအခြေအနေအောက်တွင်၊ တရုတ် NAND Flash ထုတ်လုပ်သူ (YMTC) သည် စျေးကွက်တွင် နေရာယူရန် ရုတ်တရက် ပေါ်ထွက်လာခဲ့သည်။၎င်း၏ 128-layer 3D NAND သည် 128-layer 3D NAND နမူနာများကို 2020 ခုနှစ် ပထမသုံးလပတ်တွင် storage controller သို့ ပေးပို့မည်ဖြစ်သည်။ ထုတ်လုပ်သူများသည် တတိယသုံးလပတ်တွင် ရုပ်ရှင်ထုတ်လုပ်ရေးနှင့် အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှုသို့ ဝင်ရောက်ရန် ရည်ရွယ်၍ ထုတ်လုပ်သူများသည် terminal ထုတ်ကုန်အမျိုးမျိုးတွင် အသုံးပြုရန် စီစဉ်ထားပါသည်။ UFS နှင့် SSD အနေဖြင့် ဖောက်သည်အခြေခံကိုချဲ့ထွင်ရန် TLC နှင့် QLC ထုတ်ကုန်များအပါအဝင် တစ်ချိန်တည်းတွင် module စက်ရုံများသို့ တင်ပို့မည်ဖြစ်သည်။
NAND Flash ၏လျှောက်လွှာနှင့်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးလမ်းကြောင်း
အတော်လေးလက်တွေ့ကျတဲ့ Solid-State Drive သိုလှောင်မှုအလယ်အလတ်တစ်ခုအနေနဲ့ NAND Flash မှာ သူ့ကိုယ်ပိုင်ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာသွင်ပြင်လက္ခဏာအချို့ရှိပါတယ်။NAND Flash ၏ သက်တမ်းသည် SSD ၏ သက်တမ်းနှင့် မညီမျှပါ။SSDs များသည် SSDs တစ်ခုလုံး၏ သက်တမ်းကို မြှင့်တင်ရန် အမျိုးမျိုးသော နည်းပညာဆိုင်ရာ နည်းလမ်းများကို အသုံးပြုနိုင်သည်။ကွဲပြားခြားနားသောနည်းပညာဆိုင်ရာနည်းလမ်းများဖြင့်၊ SSD များ၏သက်တမ်းသည် NAND Flash ထက် 20% မှ 2000% တိုးနိုင်သည်။
အပြန်အလှန်အားဖြင့် SSD ၏သက်တမ်းသည် NAND Flash ၏သက်တမ်းနှင့်မတူညီပါ။NAND Flash ၏သက်တမ်းကို P/E လည်ပတ်မှုဖြင့် အဓိကသတ်မှတ်ထားသည်။SSD သည် Flash အမှုန်များစွာဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်။disk algorithm အားဖြင့်၊ အမှုန်များ၏သက်တမ်းကို ထိထိရောက်ရောက်အသုံးပြုနိုင်သည်။
NAND Flash ၏ နိယာမနှင့် ထုတ်လုပ်ရေး လုပ်ငန်းစဉ်အပေါ် အခြေခံ၍ အဓိက flash memory ထုတ်လုပ်သူ အားလုံးသည် flash memory တစ်ဘစ်၏ ကုန်ကျစရိတ်ကို လျှော့ချရန် မတူညီသော နည်းလမ်းများကို တီထွင်ဖန်တီးနေကြပြီး 3D NAND Flash တွင် ဒေါင်လိုက်အလွှာအရေအတွက် တိုးမြင့်လာစေရန် တက်ကြွစွာ သုတေသနပြုနေကြသည်။
3D NAND နည်းပညာ၏ လျင်မြန်သော ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့်အတူ၊ QLC နည်းပညာသည် ဆက်လက်ရင့်ကျက်လာပြီး QLC ထုတ်ကုန်များသည် တစ်ခုပြီးတစ်ခု ပေါ်လာသည်။TLC သည် MLC ကို အစားထိုးသကဲ့သို့ QLC သည် TLC ကို အစားထိုးမည်ဟု မှန်းဆနိုင်သည်။ထို့အပြင်၊ 3D NAND single-die စွမ်းရည်၏ အဆက်မပြတ်နှစ်ဆတိုးလာခြင်းဖြင့်၊ ၎င်းသည် စားသုံးသူ SSDs များကို 4TB၊ လုပ်ငန်းအဆင့် SSDs များကို 8TB သို့ အဆင့်မြှင့်ရန် မောင်းနှင်ပေးမည်ဖြစ်ပြီး QLC SSDs သည် TLC SSDs မှ ကျန်ရှိသော လုပ်ဆောင်စရာများကို အပြီးသတ်ပြီး HDDs များကို တဖြည်းဖြည်း အစားထိုးမည်ဖြစ်သည်။NAND Flash စျေးကွက်အပေါ်အကျိုးသက်ရောက်သည်။
သုတေသနစာရင်းအင်းနယ်ပယ်တွင် 8 Gbit၊ 4Gbit၊ 2Gbit နှင့် အခြား SLC NAND flash memory သည် 16Gbit ထက်နည်းပြီး ထုတ်ကုန်များကို လူသုံးအီလက်ထရွန်းနစ်၊ Internet of Things၊ မော်တော်ကား၊ စက်မှုလုပ်ငန်း၊ ဆက်သွယ်ရေးနှင့် အခြားဆက်စပ်စက်မှုလုပ်ငန်းများတွင် အသုံးပြုပါသည်။
နိုင်ငံတကာမူရင်းထုတ်လုပ်သူများသည် 3D NAND နည်းပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးကို ဦး ဆောင်သည်။NAND Flash စျေးကွက်တွင် Samsung၊ Kioxia (Toshiba)၊ Micron၊ SK Hynix၊ SanDisk နှင့် Intel ကဲ့သို့သော မူလထုတ်လုပ်သူ ခြောက်ဦးသည် ကမ္ဘာ့စျေးကွက်ဝေစု၏ 99% ကျော်ကို ကာလရှည်ကြာ လက်ဝါးကြီးအုပ်ထားသည်။
ထို့အပြင်၊ နိုင်ငံတကာမူလစက်ရုံများသည် 3D NAND နည်းပညာ၏ သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးကို ဆက်လက်ဦးဆောင်ကာ ထူထဲသော နည်းပညာဆိုင်ရာ အတားအဆီးများကို ဖြစ်ပေါ်စေပါသည်။သို့သော်လည်း မူရင်းစက်ရုံတစ်ခုစီ၏ ဒီဇိုင်းပုံစံကွဲပြားမှုများသည် ၎င်း၏ထွက်ရှိမှုအပေါ် သက်ရောက်မှုအချို့ရှိမည်ဖြစ်သည်။Samsung၊ SK Hynix၊ Kioxia နှင့် SanDisk တို့သည် နောက်ဆုံးထွက် 100+ အလွှာ 3D NAND ထုတ်ကုန်များကို ဆက်တိုက်ထုတ်ဝေခဲ့သည်။
လက်ရှိအဆင့်တွင်၊ NAND Flash စျေးကွက်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသည် စမတ်ဖုန်းနှင့် တက်ဘလက်များ လိုအပ်ချက်ကြောင့် အဓိကအားဖြင့် မောင်းနှင်နေသည်။စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဟာ့ဒ်ဒရိုက်များ၊ SD ကတ်များ၊ Solid-State Drive များနှင့် NAND Flash ချစ်ပ်များကို အသုံးပြုသည့် အခြားသော သိုလှောင်မှု ကိရိယာများကဲ့သို့ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ သိုလှောင်မှုမီဒီယာနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဖွဲ့စည်းပုံမရှိ၊ ဆူညံခြင်းမရှိ၊ ကြာရှည်ခံနိုင်မှု၊ ပါဝါသုံးစွဲမှု နည်းပါးခြင်း၊ ယုံကြည်စိတ်ချရမှု မြင့်မားခြင်း၊ အရွယ်အစားသေးငယ်ခြင်း၊ မြန်ဆန်စွာ ဖတ်ရှုနိုင်ခြင်း၊ ရေးရန်အမြန်နှုန်းနှင့် လည်ပတ်မှုအပူချိန်။၎င်းသည် ကျယ်ပြန့်ပြီး အနာဂတ်တွင် ကြီးမားသော သိုလှောင်မှု၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေး ဦးတည်ချက်ဖြစ်သည်။ဒေတာကြီးကြီးမားမားခေတ် ထွန်းကားလာသည်နှင့်အမျှ NAND Flash ချစ်ပ်များသည် အနာဂတ်တွင် အလွန်ဖွံ့ဖြိုးလာမည်ဖြစ်သည်။
စာတိုက်အချိန်- မေ ၂၀-၂၀၂၂
