စွမ်းဆောင်ရည် နည်းပါးသည်။ပေးရပါတယ်။chip က မကောင်းတဲ့ chip လား?ဥပမာအားဖြင့်၊128G SSDchip ထက် ပိုကောင်းပါတယ်။120Gချစ်ပ်ပြား၊256Gချစ်ပ်ပြားသည် 240G ချစ်ပ်ထက် သာလွန်သောကြောင့် စျေးကွက်တွင် ချလိုက်သော အသွင်အပြင်သည် ဝယ်လိုအားအချို့ကို ဖြစ်စေသည်။
ကြီးမားသောစွမ်းရည်ပေးရပါတယ်။s သည် ဒေတာသိုလှောင်မှုအတွက် ကျွန်ုပ်တို့၏လိုအပ်ချက်များကို ပိုမိုဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်သည်။ရုံးဝန်ထမ်းများ၊ ဂိမ်းဆော့သည့်အသုံးပြုသူများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ကြီးမားသောစွမ်းရည်သည် စာဖတ်ခြင်းနှင့် စာရေးခြင်းအမြန်နှုန်းနှင့် 4K ကျပန်းဖတ်ခြင်းအမြန်နှုန်းများ နှစ်မျိုးလုံးတွင် ပိုမိုကြီးမားသောစွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးစွမ်းနိုင်သည်။
စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် အသက်ရှည်ခြင်းသည် လိုအပ်ချက်ကို စတင်စေပါသည်။
သို့သော်လည်း သုံးစွဲသူ၏ ဝယ်ယူမှုလိုအပ်ချက်များသည် စွမ်းဆောင်ရည်တွင်သာမက စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် အသက်ရှည်ခြင်းတွင်လည်း တည်ရှိသည်။စွမ်းရည်မရှိခြင်းဟူသောအချက်ကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်။ပေးရပါတယ်။ဒေတာအသစ်မဖြည့်မီ ဒေတာဟောင်းကို ဖျက်ပစ်ရန် စွမ်းရည်အနည်းငယ်သာ ကျန်ရှိသော်လည်း ဤလုပ်ဆောင်ချက်သည် အချိန်ကြာမြင့်မည်ဖြစ်ပြီး ဒေတာကို ဖျက်ပစ်ခြင်းသည်လည်း သက်တမ်းကို လျှော့ချပေးမည်ဖြစ်သည်။ပေးရပါတယ်။တခါ။(ဥပမာ၊ TLC ၏ လက်ရှိစျေးကွက်ငွေကြေးသည် 3K အပြည့်ဒစ်ဖျက်ခြင်းများကိုသာ ခံနိုင်ရည်ရှိပါသည်)
ထို့ကြောင့်၊ Solid-state သည် ပိုမိုစွမ်းရည်ကို လိုက်ရှာနေပါသည်။ လူအနည်းငယ်ကသာ solid-state drive များ၏ စွမ်းဆောင်ရည်သည် အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် 2 ကဲ့သို့သော Nth power ဖြစ်သည်ကို အာရုံစိုက်ပါသည်။120G, 480G, 960 အဲလို။
ရှေးယခင်က Nand Flash သည် ဆဲလ်တစ်ခုလျှင် 2 bit ဖြင့် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပြီး Nand Flash သည် TLC သို့ QLC သို့ တီထွင်ခဲ့လျှင်ပင် Flash ဆဲလ်တစ်ခုသည် ဒေတာနှစ်ဘစ်ကို သိမ်းဆည်းနိုင်သော်လည်း စွမ်းရည်သည် 2 ၏ Nth ပါဝါဖြစ်သည်။
အစိုင်အခဲအခြေအနေတစ်ခုစီတွင် OP (Over-provisioning) သီးသန့်နေရာတစ်ခုရှိမည်ဖြစ်ပြီး၊ အခြေခံ OP space သည် သဘာဝအတိုင်း binary အဖြစ်ပြောင်းလဲခြင်းနှင့် လိုအပ်သလို လိုအပ်သလို အပိုဆင့်ပွား OP space မှထုတ်ပေးသော OP space ၏ဤအပိုင်းသည် SSD တွင် အမှန်တကယ်တည်ရှိနေရုံမျှမက၊ အသုံးပြုသူမှ တိုက်ရိုက်ဖတ်ရှု၊ ရေးနိုင်၊ ဝင်ရောက်နိုင်မည်ဖြစ်သည်။
OP သီးသန့်နေရာအား စာရေးခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ရန်၊ ရေးရန်ချဲ့ထွင်မှုကို လျှော့ချရန်၊ စာရေးဘဝတိုးတက်စေရန်နှင့် အခြားအသုံးပြုမှုများအတွက် အသုံးပြုပါသည်။အသုံးပြုမှုလိုအပ်ချက်ပေါ်မူတည်၍ သုံးစွဲသူများသည် OP space တတိယအလွှာကို ကိုယ်တိုင်ထည့်သွင်းနိုင်သည်။
ကုန်ကျစရိတ်အမျိုးမျိုး
Solid-state drive ၏ core သည် အဓိကအားဖြင့် main control ၊ flash memory နှင့် PCB တို့ပါဝင်သည်။စျေးကွက်ရှိ 240G နှင့် 120G အကြား တစ်ခုတည်းသော ကွာခြားချက်မှာ flash memory ပမာဏဖြစ်သော်လည်း ကုန်ကျစရိတ်အရ 240G နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက 120G နှစ်ခုနှင့် 240G solid state တစ်ခုသည် enclosure တစ်ခု၊ PCB board နှင့် master control ၏ကုန်ကျစရိတ်ထက် သက်သာမည်၊ ဤအရာသည် မျက်နှာပြင်၊ အနှစ်သာရ သို့မဟုတ် Nand Flash ဖြစ်ပြီး၊ တစ်ခုလုံး၏ကုန်ကျစရိတ်၏ 70-80% ရှိသည်။ပေးရပါတယ်။.
လက်ရှိ 64-layer stacked 3D လုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့်၊ တစ်ခုတည်းသောသေတ္တာ၏စွမ်းရည်သည် 256Gbit (32GB) သို့မဟုတ် 512Gbit (64GB) ကိုပင်ရောက်ရှိနိုင်သည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ flash particles များ၏တူညီသောစွမ်းရည်အတွက်သေဆုံးအနည်းငယ်သာလိုအပ်သည်ဟု ဆိုလိုသည်။
တစ်ပြိုင်နက်တည်း ဖတ်ရှုနိုင်၊ ရေးနိုင်စေရန် flash memory ပမာဏ လုံလောက်မှုရှိစေရန်၊ ချန်နယ်၏ အားသာချက်များကို အသုံးပြု၍ read and write performance တိုးတက်စေရန်၊ box gauge low capacity Die ကို ရွေးချယ်မည်၊ ထို့ကြောင့် သေးငယ်သော စွမ်းရည်၊ပေးရပါတယ်။Die တစ်ခုတည်း၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ခြင်းဖြင့် ကုန်ကျစရိတ်ကို မလျှော့ချပါနှင့်။
ကြီးမားသောစွမ်းရည်သည် ဤပြဿနာများမရှိပါ၊ နိယာမသည် ကျွန်ုပ်တို့၏နေ့စဉ် RAID အခင်းအကျင်းနှင့် တူညီသည်၊ ထို့ကြောင့် ကြီးမားသောစွမ်းရည်၊ပေးရပါတယ်။စာရေးခြင်း စွမ်းဆောင်ရည် အားကောင်းသည်။
စာတိုက်အချိန်- မတ် ၂၇-၂၀၂၃
